Thiết bị bay hơi hỗ trợ chùm tia ion

Hệ thống IBAE kết hợp chùm tia điện tử hoặc bay hơi nhiệt với nguồn ion chùm tia rộng-tích hợp. Việc bắn phá ion đồng thời trong quá trình phát triển màng sẽ chuyển động năng sang các nguyên tử ngưng tụ, loại bỏ các cấu trúc vi mô dạng cột và tạo ra các màng mỏng có mật độ gần{3}}khối lượng lớn-với độ ẩm tối thiểu-gây ra sự dịch chuyển quang phổ.

Bắn phá-chế độ kép:Truyền năng lượng động học làm đặc màng ở nhiệt độ nền thấp, bảo vệ quang học tinh tế và chất nền polymer.

Đóng-Ổn định ion vòng lặp:Bộ điều khiển lưu lượng khối tích hợp duy trì dòng ion không đổi trong suốt quá trình sản xuất dài, đảm bảo tính nhất quán của mẻ.

Buồng chân không mô-đun:Cấu trúc bằng thép không gỉ 304L với nội thất-được đánh bóng bằng điện (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.

Trình tự tự động:Chu kỳ xả, lắng đọng và thông hơi do PLC-quản lý-bơm quản lý sẽ giảm thiểu sự khác biệt trong vận hành.

Máy bơm thô:Máy bơm cánh gạt và rễ khô không dầu-.

Bơm chân không cao:Bơm tuabin phân tử được nâng lên từ trường (1600 L/s).

Đồng hồ đo:Áp kế kết hợp Pirani, cathode lạnh và áp kế điện dung Baratron.

Định giá:Van cổng và van góc khí nén có khóa liên động an toàn phần cứng.

Oxit:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3

Fluoride:MgF2, LaF3

Kim loại:Âu, Ag, Al, Ti, Cr

Chất nền:Silica nung chảy, BK7, tấm silicon, germani, kẽm selenua (ZnSe) và polyimide chịu nhiệt-.

Quang học chính xác:Bộ lọc thông dải hẹp và lớp phủ DWDM yêu cầu bước sóng trung tâm ổn định.

Quang học laze:Kính phản xạ có ngưỡng-thiệt hại-cao và lớp phủ chống-phản chiếu.

Chất bán dẫn & Quang tử:Các lớp bảo vệ điện môi, thụ động và ống dẫn sóng quang.

Năng lượng mặt trời:Sửa đổi giao diện oxit dẫn điện trong suốt (TCO).

Kích thước buồng:Đường kính có thể mở rộng từ 600 mm đến 1200 mm.

Bố cục nguồn:Tối đa ba súng bắn tia điện tử và nhiều nguồn nhiệt trên mỗi nền tảng.

Đo lường-tại chỗ:Tích hợp giám sát quang học băng thông rộng (BOM) hoặc tích hợp cân vi lượng tinh thể thạch anh (QCM).

Tự động hóa:Giao diện tải chất nền robot tuân thủ các tiêu chuẩn SEMI.

Phát hiện rò rỉ:Kiểm tra khối phổ kế helium trên mỗi buồng (độ nhạy<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).

Tìm nguồn cung ứng thành phần:Thương hiệu công nghiệp cấp 1 (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).

Chấp nhận của nhà máy (FAT):Lớp phủ kiểm tra và chạy khô liên tục trong 72 giờ để đo chỉ số khúc xạ và độ đồng nhất trước khi gửi đi.

Tài liệu:Gói tiếng Anh hoàn chỉnh bao gồm sơ đồ điện, sơ đồ P&ID và mã nguồn PLC.

Dịch vụ hiện trường:Kỹ sư ứng dụng cài đặt chìa khóa trao tay, hiệu chỉnh chân không và điều chỉnh công thức.

Chẩn đoán từ xa:Mô-đun VPN bảo mật để khắc phục sự cố phần mềm và quy trình.